三星芯片落后台积电 三星10nm芯片量产落后台积电

前两天三星宣布将开始大批量生产其基于LPE技术10纳米工艺的芯片。三星称最新的10纳米工艺相比上一代14纳米技提供了显著的提升，首先是10nm晶体管面积效率提升30%，再者性能提升近27%，还有功耗降低高达40%。

虽然只是新闻稿，但三星所公布的内容，无一不是在宣布与其主要竞争对手台积电对抗的决心。

比原计划缩水？

需要注意的是，三星声称其10纳米工艺晶体管面积效率提升30%，不过这远低于三星此前吹嘘的50%的数字。不清楚三星为何没有兑现承诺，不禁让人怀疑，三星为了能够更早实现量产，从而在晶体管面积销量上做了牺牲。

相比之下，台积电声称其10纳米工艺相比前一代16纳米FinFET工艺，在晶体管面积效率的数字上是52%的提升。同时，台积电还确认，其10纳米工艺年底就能够量产，不出意外的话2017年第一季度苹果的A10X芯片将基于该工艺生产。

虽然台积电16纳米工艺与三星14纳米工艺相比初代在晶体管密度上有所不足，但是在10纳米这个结点上重新取得领先，特别是三星之前吹嘘的两个工艺密度指标，最小金属间距和栅极间距这两个指标。

技术差距逐年进一步扩大？

三星还在新闻稿中称，在10纳米LPE工艺量产之后，下一步就是要实现10纳米LPP技术工艺，这将是10纳米技术的高性能增强版。不过有意思的是，三星只提到了性能的提升，却没有带来任何面积减少。

相比之下，台积电计划在2018年年初量产7纳米工艺，届时该工艺对比10纳米工艺在芯片面积控制方面将迎来更一进步质的飞跃，因为晶体管面积效率提升163%，并且性能涨幅15%，功耗降低35%。如此看来，在性能、功耗和面积三个方面台积电都考虑到了未来的新工艺中，而此举对于三星的差距只会逐年拉大。

台积电信心十足干掉三星并不奇怪

在早期台积电的财报会议中台积电声称，到了10纳米时代将会斩获超过70%的市场份额。最近台积电的高层进一步表示，到了7纳米时代，预计成绩将“优于”10纳米时代。作为数一数二的半导体厂商，台积电敢于放话似乎证明在某些技术方面，台积电或许真的掌握了关键主动权。

当前与三星签合同的芯片代工业务仅为其带来了27.9亿美元的营收。而根据分析师预计，今年台积电有望实现290亿美元的市场规模，远超过三星。目前的情况是，在三星既定的研发预算下，自家的芯片代工业务目前仅能勉强盈亏平衡，若想营收大幅上扬，研发和开发的力度必须增强。

考虑到在半导体领域，目前三星依然是唯一一个与之竞争的对手，三星不会放弃任何努力，凭借雄厚的资金三星可能还会继续大量投资半导体制造技术。但英特尔若参与进来，也许三星的业务有可能会变成一个长久不具备吸引力的业务。